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1、二极管伏安的正向特性，理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管，加正向电压的时候，需要克服PN结内电压，所以电压要大于内电压时，才会出现电流。
这个最小电压称作开启电压。小于开启电压的区域，叫做死区。 当电压大于开启电压，那么电流成指数关系上升。增加很快，所以二极管上的压降，其实很小，否则由于电流太大，就烧坏了。
2、二极管伏安的反向特性，理想的二极管，不论反向电压多大，反向都无电流。实际的二极管，反向截止时，也是有电流的，这个电流叫做反向饱和电流。在电压没有达到反向击穿电压时，二极管的电流一直等于方向饱和电流。
但是当电压大到一定程度，二极管被反向击穿，电流急剧增大。 反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种。 有的二极管击穿后撤去反向电压，还能恢复原状态，比如稳压二极管就是工作在反向击穿区的。 有的反向击穿就直接烧坏了。
3、二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
（1）死区电压：通常为，锗管0.2~0.3V,硅管0.5~0.7V；
（2）正向导通区:当加正向电压超过死区电压时则导通,该区为正向导通区；
（3）反向截止区:加一定反向电压时截止；
（4）反向击穿区:当加反向电压大于管子反向承认电压时,击穿。
扩展资料：
1、某一个金属导体，在温度没有显著变化时，电阻是不变的，它的伏安特性曲线是通过坐标原点的直线，具有这种伏安特性的电学元件叫做线性元件。因为温度可以决定电阻的大小。
欧姆定律是个实验定律，实验中用的都是金属导体。这个结论对其它导体是否适用，仍然需要实验的检验。实验表明，除金属外，欧姆定律对电解质溶液也适用，但对气态导体（如日光灯管、霓虹灯管中的气体）和半导体元件并不适用。也就是说，在这些情况下电流与电压不成正比，这类电学元件叫做非线性元件。
2、相关概念：
（1）变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。
（2）平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
（3）非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
（4）扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。
百度百科 - 伏安特性曲线
二极管的导通条件是什么？
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。
当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。
这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2 V，硅管的死区电压约为0．5 V。
扩展资料
PN 结发生临界击穿对应的电压为 PN 结的击穿电压 BV，BV 是衡量 PN结可靠性与使用范围的一个重要参数，在 PN 结的其它性能参数不变的情况下，BV 的值越高越好。
使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。
不同电介质在相同温度下,其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后,由U1-U2=Ed知,击穿场强决定了击穿电压。
击穿场强通常又称为电介质的介电强度。提高电容器的耐压能力起关键作用的是电介质的介电强度。附表为各种电介质的相对介电常量εr和介电强度。
电介质 εr 击穿场强,×106/(V·m-1)
击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿，额定电压是电容器长期工作时所能承受的电压，它比击穿电压要低，电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的，不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。
参考资料：
参考资料：
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二极管正向导通的条件是：给与正向电压,并且大于二极管的导通电压!0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V）,导通后二极管两端的电压基本上保持不变。
1、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。
2、加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
3、当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。
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